RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
54
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2608
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link