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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
54
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
33
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2764
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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