RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Compara
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Puntuación global
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
66
En -136% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
28
Velocidad de lectura, GB/s
7.3
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1760
3804
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link