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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3063
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
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