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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
17.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3935
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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