RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Compara
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB vs SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
49
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2284
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70EB0-CMA 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link