RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
42
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2408
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link