RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
42
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
26
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3252
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link