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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
42
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3673
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Maxsun MSD48G32Q3 8GB
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Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
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