RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
42
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
37
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2802
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link