RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
48
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
48
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
12.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3061
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link