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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
42
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
21
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3077
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology C 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
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