RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
42
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
21
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3427
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link