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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
42
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3045
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
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