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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
104
En -259% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3086
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
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