RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
104
En -271% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3593
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link