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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
104
En -206% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2732
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-074.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
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