RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Compara
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
75
En -150% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,730.3
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3047
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link