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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
65
En -183% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,574.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,858.9
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,574.4
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
607
3233
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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