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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
53
74
En -40% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
53
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2440
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
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