RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
74
En -185% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
4012
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link