RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
74
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
2,201.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
54
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2176
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link