RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
73
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3367
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link