RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
55
73
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
55
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2612
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link