RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
73
En -181% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3437
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Team Group Inc. Vulcan-2400 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link