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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
73
En -265% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
20
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3632
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
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