RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
69
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2813
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link