RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
69
En -214% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3430
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link