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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
61
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,903.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,668.9
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,903.1
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
735
3050
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
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