RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
50
En -79% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
3258
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link