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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Compara
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
35
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.8
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
29
Velocidad de lectura, GB/s
15.7
20.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2767
3901
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
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A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
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