RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
38
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
31
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3091
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link