RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
38
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
25
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2164
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link