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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
38
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
15.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
24
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2508
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
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