RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3033
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link