RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
38
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
33
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3321
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link