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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
45
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
33
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2973
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
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