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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Compara
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
45
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
33
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2524
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
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