RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
47
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
2701
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link