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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
45
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3292
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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