RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
45
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2858
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link