RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2663
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link