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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
45
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2549
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
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