RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
48
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
33
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
1967
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link