RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
48
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
23
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2495
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston KHX1600C9D3/2GX 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link