RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
48
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.1
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.9
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
40
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2031
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link