RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
48
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
39
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2364
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Informar de un error
×
Bug description
Source link