RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
49
En 2% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.9
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
49
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2413
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML32GX3M4A1600C10 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link