RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
48
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
25
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
18.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
4046
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link