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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
47
En -161% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
18
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
19.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
3704
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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